- Добавил: umkaS
- Дата: 3-08-2019, 14:27
- Комментариев: 0

Автор: Шкловский Б.И., Эфрос А.Л.
Издательство: М.: Наука
Год: 1979
Cтраниц: 416
Формат: pdf
Размер: 14 мб
Язык: русский
В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсеновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активациоииой при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний.