Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : в 2 ч., часть 1
- Добавил: umkaS
- Дата: 26-01-2025, 16:15
- Комментариев: 0

Автор: Королёв М. А., Крупкина Т. Ю., Ревелева М. А.
Издательство: Лаборатория знаний
Год: 2020
Cтраниц: 401
Формат: pdf
Размер: 15 мб
Язык: русский
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах._Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.
Скачать Королёв М. А., Крупкина Т. Ю., Ревелева М. А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : в 2 ч., часть 1

Внимание
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.