Название: Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов
Автор: Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П.
Издательство: Металлургия
Год: 1987
Формат: pdf
Страниц: 234
Размер: 22,5 Мб
Язык: русский

Обобщены основные закономерности процесса, включающие кинетику и стабильность, перераспределение компонентов и совершенство кристаллической структуры выращиваемого материала. Проанализированы и сопоставлены с теорией экспериментальные результаты зонной перекристаллизации градиентом температуры кремния, германия, соединений типа А³В⁵ и других полупроводниковых материалов. Описаны аппаратура и методика проведения процесса как в лабораторных, так и в промышленных условиях. Рассмотрены возможности применения метода для физико-химических исследований и в электронике для формирования полупроводниковых структур на поверхности и в объеме кристалла.
Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики, технологии полупроводниковых материалов и приборов.



ОТСУТСТВУЕТ ССЫЛКА/ НЕ РАБОЧАЯ ССЫЛКА ЕСТЬ РЕШЕНИЕ, ПИШИМ СЮДА!