Название: Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии
Автор: Рейви К.
Издательство: М.:Мир
Год: 1984
Формат: DjVu
Страниц: 472
Размер: 14 MB
Язык: Русский

Фундаментальная монография известного американского автора посвящена технологии получения полупроводникового кремния высокой чистоты, используемого для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов различного назначения. Исследовано влияние дефектов и примесей на электрические свойства кристаллов кремния.
Для специалистов в области материаловедения и производства полупроводниковых материалов и приборов.