Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults
- Добавил: harun54
- Дата: 8-07-2018, 12:12
- Комментариев: 0
Название: Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive FaultsАвтор: Ireneusz Mrozek
Издательство: Springer
Год: 2018
Формат: PDF
Размер: 2 Мб
Язык: английский / English
This book describes efficient techniques for production testing as well as for periodic maintenance testing (specifically in terms of multi-cell faults) in modern semiconductor memory. The author discusses background selection and address reordering algorithms in multi-run transparent march testing processes. Formal methods for multi-run test generation and many solutions to increase their efficiency are described in detail. All methods presented ideas are verified by both analytical investigations and numerical simulations.
Внимание
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.