Название: Электронные свойства легированных полупроводников
Автор: Шкловский Б.И., Эфрос А.Л.
Издательство: М.: Наука
Год: 1979
Cтраниц: 416
Формат: pdf
Размер: 14 мб
Язык: русский

В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсеновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активациоииой при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний.
Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метол вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построенная с помощью этого метода. Большое внимание уделяется сопоставлению ее результатов с экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории.