Spin Transfer Torque (Stt) Based Devices, Circuits, and Memory
- Добавил: admin
- Дата: 14-08-2017, 13:42
- Комментариев: 3

Автор: Brajesh Kumar Kaushik and Shivran Verma
Издательство: Artech House Publishers
Год: 2016
Формат: PDF
Размер: 6 Мб
Язык: английский / English
This first-of-its-kind resource is completely dedicated to spin transfer torque (STT) based devices, circuits, and memory. A wide range of topics including, STT MRAMs, MTJ based logic circuits, simulation and modeling strategies, fabrication of MTJ CMOS circuits, non-volatile computing with STT MRAMs, all spin logic, and spin information processing are explored. State-of-the-art modeling and simulation strategies of spin transfer torque based devices and circuits in a lucid manner are covered. Professional engineers find practical guidance in the development of micro-magnetic models of spin-torque based devices in object-oriented micro-magnetic framework (OOMMF) and compact modeling of STT based magnetic tunnel junctions in Verilog-A.

Внимание
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Комментарии пользователей