Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
- Добавил: harun54
- Дата: 20-06-2019, 20:23
- Комментариев: 0
Название: Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic DevicesАвтор: Yue Hao and Jin Feng Zhang
Издательство: CRC Press
Год: 2016
Формат: PDF
Размер: 21 Мб
Язык: английский / English
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
Внимание
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.