Название: Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебное пособие для вузов
Автор: В.И. Старосельский
Издательство: Юрайт
Год: 2022
Страниц: 466
Язык: русский
Формат: pdf
Размер: 95.6 MB

Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современ­ной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные харак­теристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэ­лектроники. Для каждого прибора делается краткий обзор современ­ных методов их структурной реализации в интегральных схемах.

Для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» (210100.62 — бакалавр, 210100.68 — магистр) и по инженерным специальностям 210104.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», 210108.65 «Микросистемпая техника», 010803.65 «Микроэлектроника и полу­проводниковые приборы», 210601.65 «Нанотехнологии в электронике». Материал книги может быть полезен также научным работникам, инженерам и аспирантам, стремящимся получить необходимые про­фессиональные знания.

Ограниченный объем учебного пособия позволяет охватить только базовые элементы современной микроэлектроники: р-п переходы, полупроводниковые диоды, транзисторы со структурой металл—ди­электрик—полупроводник, биполярные транзисторы, контакты ме­талл—полупроводник, полевые транзисторы с управляющим барьерным переходом и гетеропереходные полевые и биполярные транзисторы.

Свойства всех полупроводниковых приборов, включенных в мате­риал учебного пособия, рассматриваются с единых методических пози­ций. Вначале описываются устройство и принцип действия приборов, анализируются их статические характеристики в рамках максимально упрощенной идеализированной модели, после чего рассматриваются особенности реальных приборов, не учтенные простой моделью. Затем анализируются механизмы внутренней инерционности прибора, опреде­ляющие его частотные и импульсные характеристики. Большое внима­ние уделяется анализу эффектов малых размеров, которые определяют предельные характеристики современных приборов микроэлектроники. В заключение рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах. Отдельные разделы посвящены масштабированию МДП-транзисторов и сравнительному анализу принципов действия, свойств и областей применения наиболее важных активных приборов со­ временной микроэлектроники — полевых и биполярных транзисторов.




ОТСУТСТВУЕТ ССЫЛКА/ НЕ РАБОЧАЯ ССЫЛКА ЕСТЬ РЕШЕНИЕ, ПИШИМ СЮДА!