Название: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Автор: Красников Г.Я.
Издательство: М.: Техносфера
Год: 2011
Страниц: 800
ISBN: 978-5-94836-289-2
Формат: PDF
Размер: 25 Мб
Язык: русский
Серия: Мир электроники

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев.
Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Скачать Красников Г.Я. - Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов (2011)