Vtome.ru - электронная библиотека

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2-х частях

  • Добавил: gol8425
  • Дата: 9-10-2024, 15:35
  • Комментариев: 0

Название: Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2-х частях
Автор: М.А.Королев, Т.Ю.Крупкина
Издательство: М.: Бином. Лаборатория знаний
Год: 2012
Страниц: 405+424
Формат: PDF
Размер: 15.24 Mb
Язык: Русский

Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.
Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.



ОТСУТСТВУЕТ ССЫЛКА/ НЕ РАБОЧАЯ ССЫЛКА ЕСТЬ РЕШЕНИЕ, ПИШИМ СЮДА!










ПРАВООБЛАДАТЕЛЯМ


СООБЩИТЬ ОБ ОШИБКЕ ИЛИ НЕ РАБОЧЕЙ ССЫЛКЕ



Внимание
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.